《內(nèi)圓切割和多線切割.doc》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、1.內(nèi)圓切割和多線切割晶體切割就是利用內(nèi)圓切片機或者線切割機等專用設(shè)備將硅單晶或多晶切割成符合使用要求的薄片過程。硅晶體的切割主要要有內(nèi)圓切割和多線切割兩種形式。內(nèi)圓切割利用內(nèi)圓刀片為切割刀具，以其內(nèi)圓作為刀口，其鑲上金剛石顆粒，一片一片進(jìn)行磨銷切割。內(nèi)圓切割品種變換簡單方便，靈活，風(fēng)險低，但是效率低，原料損耗大，硅片體形變大，加工參數(shù)一致性差。多線切割利用鋼絲切割線攜帶金剛砂漿液進(jìn)行磨銷，整錠同時切割。其效率高，原料損耗小，硅片體形變小，加工參數(shù)一致性好，但是投資大，風(fēng)險高。2.硅片的化學(xué)減薄所謂化學(xué)減薄就是通過酸或堿與硅片表面在一定條件下產(chǎn)

2、生化學(xué)反應(yīng)，對硅片表面進(jìn)行一層剝離，為拋光工藝創(chuàng)造條件的工藝過程。硅片化學(xué)減薄的作用與意義硅片化學(xué)減薄主要有三個作用，第一是使硅片表面清潔，第二可以提高拋光效率，第三可以消除硅片內(nèi)應(yīng)力3.硅片拋光方法大體來說，硅片拋光方法可以分為機械拋光，化學(xué)拋光和化學(xué)機械拋光三大類。（1）機械拋光機械拋光利用拋光液中的磨液與硅片表面的機械摩擦作用來實現(xiàn)硅片的表面加工，在早期硅片加工中使用較多。機械拋光的拋光液一般為氧化鋁，氧化鎂，氧化硅和碳化硅等微細(xì)粉末加水而配制成的懸浮液。(2)化學(xué)拋光化學(xué)拋光就是利用化學(xué)試劑與硅片表面的化學(xué)腐蝕反應(yīng)來達(dá)到去層與修整的加工

3、目的?；瘜W(xué)拋光包括液相腐蝕，氣相腐蝕，固相化學(xué)腐蝕和電解拋光等。（3）化學(xué)機械拋光化學(xué)機械拋光是將化學(xué)作用和機械作用同時結(jié)合使用的拋光方法，種類繁多。銅離子，鉻離子，氧化鈦，筋性氧化鋁，堿性二氧氧化硅都是化學(xué)拋光