《LED芯片知識(shí)大全：分類(lèi),制造,參數(shù)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。

1、LED芯片知識(shí)大全：分類(lèi)，制造，參數(shù)我們?cè)谫I(mǎi)燈具的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)聽(tīng)說(shuō)LED芯片，那么，LED芯片究竟是什么呢？下面就帶著大家了解下。LED芯片也稱(chēng)為led發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結(jié)。其主要功能是：把電能轉(zhuǎn)化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來(lái)的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)P-N結(jié)。當(dāng)電流通過(guò)導(dǎo)線作用于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會(huì)被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會(huì)以光子的形

2、式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長(zhǎng)也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的。分類(lèi)用途：根據(jù)用途分為大功率led芯片、小功率led芯片兩種；顏色：主要分為三種：紅色、綠色、藍(lán)色（制作白光的原料）；形狀：一般分為方片、圓片兩種；大?。盒」β实男酒话惴譃?mil、9mil、12mil、14mil等　片尺寸大功率LED芯片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當(dāng)然芯片尺寸是可以訂制的，這只是一般常見(jiàn)的規(guī)格。mil是尺寸單位，一個(gè)mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38

3、mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸規(guī)格。理論上來(lái)說(shuō)，芯片越大，能承受的電流及功率就越大。不過(guò)芯片材質(zhì)及制程也是影響芯片功率大小的主要因素。例如CREE40mil的芯片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的芯片，最多能承受到2W?！　“l(fā)光亮度一般亮度：R(紅色GaAsP655nm)、H(高紅GaP697nm)、G(綠色GaP565nm)、Y(黃色GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等；高亮度：VG(較亮綠色GaP565nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP

4、585nm)、SR(較亮紅色GaA/AS660nm)；超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；三元晶片(磷﹑鎵﹑砷)：SR(較亮紅色GaA/AS660nm)、HR(超亮紅色GaAlAs660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs660nm)等；四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF(較亮紅色AlGalnP)、HRF(超亮紅色AlGalnP)、URF(最亮紅色AlGalnP630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP585nm)、HY(超亮黃色AlGalnP595nm)、UY(最亮黃

5、色AlGalnP595nm)、UYS(最亮黃色AlGalnP587nm)、UE(最亮桔色AlGalnP620nm)、HE(超亮桔色AlGalnP620nm)、UG(最亮綠色AIGalnP574nm)LED等。襯底對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。三種襯底材料：藍(lán)寶石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。藍(lán)寶石襯底：藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn)：1.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好；2.穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中；3.機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理

6、和清洗。藍(lán)寶石的不足：1.晶格失配和熱應(yīng)力失配，會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷；2.藍(lán)寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個(gè)電極，造成了有效發(fā)光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過(guò)程，制作成本高。硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長(zhǎng)了器件的壽命。碳化硅襯底（CREE公司專(zhuān)門(mén)采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電極是L型電極，電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。優(yōu)點(diǎn)：碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化硅制

7、造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。LED特點(diǎn)（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。（2）信賴(lài)性優(yōu)良。（3）應(yīng)用廣泛。（4）安全性高。（5）壽命長(zhǎng)。　如何評(píng)判l(wèi)ed芯片的價(jià)格：一般情況系下方片的價(jià)格要高于圓片的價(jià)格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，進(jìn)口的要高于國(guó)產(chǎn)的，進(jìn)口的來(lái)源價(jià)格從日本、美國(guó)、臺(tái)灣依次減低。led芯片的質(zhì)量：評(píng)價(jià)led芯片的質(zhì)量主要從裸晶亮度、衰減度兩個(gè)主要標(biāo)準(zhǔn)來(lái)衡量，在封裝過(guò)程中主要從led芯片封裝的成品率來(lái)計(jì)算。制造流程總的來(lái)說(shuō)，LED制作流程分為

8、兩大部分：1.首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)