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    存儲(chǔ)器類型歸類總結(jié)(RAM,SRAM,DRAM.....)

    存儲(chǔ)器類型歸類總結(jié)(RAM,SRAM,DRAM.....)

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    時(shí)間:2019-06-12

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    1、單片機(jī)存儲(chǔ)器類型詳解分為兩大類RAM和ROM,每一類下面又有很多子類:RAM:SRAMSSRAMDRAMSDRAMROM:MASKROMOTPROMPROMEPROMEEPROMFLASHMemoryRAM:RandomAccessMemory隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。它的特點(diǎn)就是是易揮發(fā)性(volatile),即掉電失憶。我們常說的電腦內(nèi)存就是RAM的。ROM:ReadOnlyMemory只讀存儲(chǔ)器ROM通常指固化存儲(chǔ)器(一次寫入,反復(fù)讀取),它的特點(diǎn)與RAM相反。RAM

    2、和ROM的分析對(duì)比:1、我們通??梢赃@樣認(rèn)為,RAM是單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這里的數(shù)據(jù)包括內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(用戶RAM區(qū),可位尋址區(qū)和工作組寄存器)和特殊功能寄存器SFR,或是電腦的內(nèi)存和緩存,它們掉電后數(shù)據(jù)就消失了(非易失性存儲(chǔ)器除外,比如某些數(shù)字電位器就是非易失性的)。ROM是單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器,有些單片機(jī)可能還包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,這里的數(shù)據(jù)指的是要保存下來的數(shù)據(jù),即單片機(jī)掉電后仍然存在的數(shù)據(jù),比如采集到的最終信號(hào)數(shù)據(jù)等。而RAM這個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器只是在單片機(jī)運(yùn)行時(shí),起一個(gè)暫存數(shù)據(jù)的作用,比如對(duì)采集的數(shù)據(jù)做一些處理運(yùn)算,這樣就產(chǎn)生中間量,然后通過RAM暫時(shí)存取中間量,最終

    3、的結(jié)果要放到ROM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中。如下圖所示:2、ROM在正常工作狀態(tài)下只能從中讀取數(shù)據(jù),不能快速的隨時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。它的優(yōu)點(diǎn)是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,而且在斷電以后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。缺點(diǎn)是只適用于存儲(chǔ)那些固定數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。RAM與ROM的根本區(qū)別是RAM在正常工作狀態(tài)下就可以隨時(shí)向存儲(chǔ)器里寫入數(shù)據(jù)或從中讀取數(shù)據(jù)。SRAM:StaticRAM靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時(shí)間,固定要對(duì)DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有

    4、它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。優(yōu)點(diǎn):速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。缺點(diǎn):集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。DRAM:DynamicRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。既然內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,那么它是怎

    5、么工作的呢?我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”,指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后,經(jīng)過一段時(shí)間,數(shù)據(jù)會(huì)丟失,因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的:一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng),代表1的電容會(huì)放電,代表0的電容會(huì)吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認(rèn)為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認(rèn)為其代表0,并把電容放電,借此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)非常

    6、簡(jiǎn)單,所以它所那個(gè)達(dá)到的集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)存儲(chǔ)器。但是DRAM的存取速度不如SRAM快。SSRAM:SynchronousStaticRAM同步靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器同步是指Memory工作需要時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn),隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。對(duì)于SSRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。這一點(diǎn)與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。SDRAM:SynchronousDynamicRAM同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器由以上的對(duì)S

    7、SRAM的分析可以了解SDRAMMASKROM:掩模只讀存儲(chǔ)器是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASKROM,而燒錄在MASKROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。OTPROM:one-timeprogrammableROM一次性可編程只讀存儲(chǔ)器PROM:ProgrammableROM可編程只讀存儲(chǔ)器內(nèi)容一經(jīng)寫入以后,就不可能修改了,所以只可以寫入一次EPROM:ErasableProgrammableROM可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器用紫外線照射進(jìn)行擦除,高壓編程寫

    8、入(+21

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