《真空釬焊用低熔點鋁基復合釬料的研制》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內(nèi)容在學術論文-天天文庫。

1、碩士研究乍論文摘要為了降低砧．Si釬料的熔點(共晶點577℃)，首次采用電鍍的方法在砧．Si薄帶釬料的表面鍍上一層銅，通過控制電壓以及通電時間等參數(shù)，控制鍍層銅的量，制備出形如CⅣ舢．S狄：u式鋁基復合釬料。利用差熱分析(DTA)、潤濕性實驗等手段，分析制備出來的新型鋁基復合釬料的性能。討論了該方法在制備新型低熔點鋁基釬料方面的可行性。研究結(jié)果表明：其它條件不變時，通電電壓2v，通電15分鐘，鍍層厚度與鍍層質(zhì)量最為理想。制備出來的新型復合釬料形如Cu／_砧．Si／Cu式，Cu在砧．Si基體表面形成均勻致密的鍍層，且易于彎折卷曲，無脆性之虞。與舢．Si釬料比較起來，新型

2、復合釬料的固．液相線溫度降低約40℃，并且潤濕性能優(yōu)良，在釬焊溫度565℃時鋪展面積達到最大值。釬焊接頭抗剪強度較高。通過在真空釬焊爐中進行釬焊實驗，并用金相顯微鏡和X射線衍射以及電子探針對焊縫進行微觀分析，發(fā)現(xiàn)新型釬料釬焊焊縫的的成分分布均勻，接頭反應結(jié)合良好，新型釬料表現(xiàn)出了良好的流動填縫能力，基本沒有微觀孔洞等焊接缺陷。銅在接觸反應中向母材迅速擴散，鋁銅共晶液相的形成同時促進了硅的擴散能力，使其在反應區(qū)均勻、彌散分布。關鍵詞：電鍍；復合釬料；A1．Si釬料；真空釬焊III碩上研究乍論文AbstractInordert0reducememeningp0硫0f烈-S

3、ifiller(eute(嶇cpointof577℃)，platingn砣蚰10dwasadopted{’0rtheIirStt婦ebypla．tiI瑪copperonthesurl乏ICeofmiIlA．1-SisolilerS臼邱，controlliIlgV撕ablessuCh勰Voltage，powertiIllc鋤d廿leamountofcopper；tlleproducedC毗U—Si／Cu哆pealllminl咖b弱ecompoundfiller．Function、ⅣaseXploredbymea璐ofdi腩rential恤m腳強aJysis(DTA)，w

4、et汕ili鑼eXpe咖le鵬，etc．Besides，feaSibil蚵oftllisplating珧dhaSalsobeendisc璐∞dforproducillgⅡlenewaluI】[1iIlumbaSedfillernletalsw池lowmelt啦p0硫．，IheresultsshowⅡlat謝mmepowervol魄eof2V，electric時for15minutes，aIldtheo也erconditionsm1Cl姍ged，tbecoatiIlgofcopperisofnlebesttllicl【11essandq岫li夠．11塢newlyprod

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7、icl【lyintotherawmaterials．Thefo加ationof砧mmn啪coppereutecticliquidphaSehaspromotedmeprolif．erationcapaci夠ofSi，ma虹ngitdistributedeVeIdyint11eexperimentingarea．Keywords：electroplate；compoulldfillermetal：Al—Sifillermetal；VacmlmbrazingIV蘭州理工大學學位論文原創(chuàng)性聲明和使用授權說明原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導師的