《nand和nor區(qū)別 Linux-Nor Flash驅(qū)動(dòng)分析.doc》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。

1、nand和nor區(qū)別Linux-NorFlash驅(qū)動(dòng)分析　　本文主要是關(guān)于nand和nor的相關(guān)介紹，并著重對(duì)nand和nor進(jìn)行了詳盡的對(duì)比區(qū)分?！　ORFlash　　它是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM（ErasableProgrammableRead-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦只讀存儲(chǔ)器ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝

2、公司發(fā)表了NANDFlash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NORFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NORnand和nor區(qū)別Linux-NorFlash驅(qū)動(dòng)分析　　本文主要是關(guān)于nand和nor的相關(guān)介紹，并著重對(duì)nand和nor進(jìn)行了詳盡的對(duì)比區(qū)分?！　ORFlash　　它是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM（

3、ErasableProgrammableRead-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦只讀存儲(chǔ)器ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDFlash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NORFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NORnand和nor區(qū)別Linux-No

4、rFlash驅(qū)動(dòng)分析　　本文主要是關(guān)于nand和nor的相關(guān)介紹，并著重對(duì)nand和nor進(jìn)行了詳盡的對(duì)比區(qū)分?！　ORFlash　　它是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORFlash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM（ErasableProgrammableRead-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦只讀存儲(chǔ)器ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDFlash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)

5、調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。NORFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的寫(xiě)入速度比NOR快很多，在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考

6、慮這些情況?！禔RM嵌入式Linux系統(tǒng)開(kāi)發(fā)從入門(mén)到精通》李亞峰歐文盛等編著清華大學(xué)出版社P52注釋APIKey　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　像“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人

7、士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案?！　OR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響了它的性能?！　AND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理需要特殊的系統(tǒng)

8、接口?！　〗涌诓顒e　　NORflash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，