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    高壓無功補償技術(shù)對比

    高壓無功補償技術(shù)對比

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    頁數(shù):7頁

    時間:2018-11-06

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    1、國內(nèi)目前幾種動態(tài)無功補償裝置的比較針對目前供電部門對供電用戶的功率因數(shù),諧波等電能質(zhì)量參數(shù)的要求越來越嚴格,對應的無功補償濾波裝置的要求也越來越高。傳統(tǒng)的采用真空開關(guān)投切電容器組的產(chǎn)品因為自身的技術(shù)特點已經(jīng)無法滿足越來越嚴格的考核要求。各種新型的動態(tài)無功補償裝置相繼投入市場使用。下面就針對各種無功補償裝置的各項原理,性能參數(shù)做一個些介紹與比較。1、真空開關(guān)投切電容器組真空開關(guān)投切電容器組是利用無功自動控制器,根據(jù)系統(tǒng)的無功情況有選擇的控制真空開關(guān)作的投與切,來達到控制電容器投入容量的目的。該裝置具有如下的一些技術(shù)特點。(一)設備

    2、組成簡單,價格便宜(二)設備根據(jù)預先設計的容量組合,分為若干的等級的補償容量,補償效果呈階梯狀補償。如階梯分的不合適,或過大,極易造成過補與欠補的現(xiàn)象。補償效果往往不理想。由下面的示意圖可以看出,階梯式的補償方式難以適應連續(xù)變化的無功負荷,必然會出現(xiàn)各種過補與欠補的現(xiàn)象。如要避免出現(xiàn)這種情況,必須將電容器組分的很細,多分很多組才能達到較理想的步長,避免出現(xiàn)過補與欠補。(三)受制于真空開關(guān)投切自身技術(shù)的限制,該裝置的投切速度較慢,且因為電容器切除以后存在一個放電時間問題,電容器必須經(jīng)過幾分鐘的充分放電才可以重新投入運行,否則會因為

    3、重復充電,而造成電容器故障,嚴重時發(fā)生爆炸。因此一般的無功控制裝置均有電容器投切延時。電容器剛切除后不久如果系統(tǒng)負荷發(fā)生變化,電容器是無法快速投入的,因此無法快速的跟蹤負荷的變化,補償效果不理想。(一)安全系數(shù)低故障較多,因為真空開關(guān)無法實現(xiàn)在系統(tǒng)交流電過零點投切電容器組,因此會造成很大的合閘涌流,往往達到額定電流的7倍左右甚至更高,對設備自身以及系統(tǒng)中的其他用電設備造成較大的影響。而且真空開關(guān)的使用與維護較麻煩,運行一段時間以后故障較多。(二)無法組成濾波支路。因為該裝置是通過投切電容器組來實現(xiàn)改變補償容量的,當組成濾波支路時

    4、,一旦負荷發(fā)生變化,濾波支路即會被切除而起不到濾波的效果。如錯誤的切除某次濾波支路極容易造成系統(tǒng)諧振,造成某次諧波放大,對系統(tǒng)造成不良的影響。1、晶閘管投切電容器組(TSC)因為真空開關(guān)投切電容器組存在上述的一系列問題,國內(nèi)一些廠家找到晶閘管替代真空開關(guān)的投切設備,來控制電容器組的投切。該設備特點如下:(一)相對真空開關(guān),晶閘管具有投切速度快,最快速度能達到20ms,可以實現(xiàn)過零投切的技術(shù)優(yōu)點。其主要表現(xiàn)為晶閘管可以在交流電過零點時準確的投入電容器組,從而避免了合閘涌流對設備本身的沖擊,提高了電容器的使用壽命。也避免了電容器放電

    5、時間造成電容器無法快速響應的問題。提高了補償效果,但是單組TSC價格高昂,目前任然采用TSC+FC支路的方式組合使用,降低成本。如一組1200kvar的補償由150kvar+300kvar的TSC+(300kvar+450kvar)的FC支路組成。(一)首先該裝置作為真空開關(guān)投切電容器組的升級產(chǎn)品,其快速投切的功能僅解決了單組電容器投切的個別問題,作為一種分組投切裝置,其仍然存在階梯式補償所帶來的過補與欠補問題。補償效果難以保證。如要實現(xiàn)較好的補償效果,則需多分很多組電容器,設備成本將大幅上漲。(二)晶閘管為半導體元件,單只晶閘

    6、管難以承受10KV系統(tǒng)的電壓,因此需要多只晶閘管串并聯(lián)而成。在整個的運行過程中晶閘管運行在高壓環(huán)境下,在系統(tǒng)電壓出現(xiàn)過電壓的情況下,晶閘管極易被擊穿,當一只晶閘管被擊穿,其他晶閘管就需要承擔該只晶閘管所需承受的電壓,整個閥組有可能因為電壓的升高而損壞,造成較大損失。(三)晶閘管為一種非線性設備,接入系統(tǒng)后流經(jīng)的電流會產(chǎn)生非線性變化,從而產(chǎn)生諧波。因此TSC在運行時還會因為一定的諧波,容量越大,產(chǎn)生的諧波越多,對系統(tǒng)的影響越大。(四)晶閘管因為是半導體元件,運行時還會產(chǎn)生大量的熱能,但是半導體本身會因為熱量的升高而影響其自身的使用

    7、壽命,有數(shù)據(jù)表明,當晶閘管超過其限制溫度時,其老化速度將增加1倍。因此TSC對環(huán)境溫度有較大的要求,輔助散熱設備要求很高。在一些夏季氣溫較高的地區(qū)甚至要求安裝工業(yè)空調(diào)進行散熱。(五)對閥組觸發(fā)的同期性及均壓控制等要求很高,如控制系統(tǒng)出現(xiàn)問題,觸發(fā)及均壓等問題沒有處理好,極易造成過電壓故障,擊穿晶閘管,造成損失。(六)上述的各種問題又造成設備的可靠性不高,后期的維護較多。且因為需要專業(yè)的人員進行維護,對廠家的售服要求極高。(七)TSC同樣因為是通過投切電容器組來改變補償容量的設備,也不能組成濾波支路來濾除諧波。1、磁控式可調(diào)電抗器

    8、動態(tài)無功補償裝置磁控電抗器簡稱即MCR。磁控電抗器采用直流助磁原理,利用附加直流勵磁磁化鐵心,通過連續(xù)調(diào)節(jié)晶閘管控制角,改變磁控電抗器勵磁繞組的電流量,改變鐵芯的磁通強度,改變鐵心磁導率,實現(xiàn)電抗值的連續(xù)可調(diào),與電容器的容性無功相互抵消,使裝置輸出功率平滑調(diào)節(jié)補

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